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簡要描述：Optodiode光電二極管：多元件和陣列探測(cè)器光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。
產(chǎn)品型號(hào)： AXUV16ELG
所屬分類：光電探測(cè)器陣列
更新時(shí)間：2024-12-17
Opto Diode光電二極管陣列，電子檢測(cè)的理想選擇
Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點(diǎn)
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號(hào)，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測(cè)的理想選擇。有保護(hù)性蓋板，以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。波威Opto Diode光電探測(cè)器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng)，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個(gè)元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個(gè)元素的陣列。光電二極管陣列儲(chǔ)存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮?dú)夂驼婵障聹囟仁?20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長。隨著時(shí)間的推移，對(duì)低能量輻射和150納米以下波長的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子，以保護(hù)Opto Diode光電探測(cè)器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請(qǐng)查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點(diǎn),
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板
在25°C時(shí)的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列的特點(diǎn)
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板3
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列在0.75mmx4.1mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時(shí)，電容,最大值是1nF。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。
美國Optodiode光電二極管：多像元和陣列探測(cè)器
光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection
AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇
AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇
Optodiode光電二極管：電子、光子、X射線探測(cè)器（AXUV）
AXUV系列探測(cè)器的特點(diǎn)是對(duì)0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線進(jìn)行高性能測(cè)量，并檢測(cè)100eV至50keV的能量。
型號(hào) 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測(cè)的理想選擇
AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環(huán)形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環(huán)形光電二極管，輻射探測(cè)的理想選擇
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇
光電二極管：EUV增強(qiáng)型探測(cè)器（SXUV）
SXUV系列極紫外（EUV）增強(qiáng)型探測(cè)器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)度，是關(guān)鍵的EUV光測(cè)量的理想選擇。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測(cè)器（1nm-190nm）
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測(cè)器（1nm-190nm）
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測(cè)器（1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測(cè)器（1nm-190nm）
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測(cè)器（1nm-90nm）
光電二極管：集成薄膜、封裝和濾光器組件
光電二極管生產(chǎn)集成薄膜濾波器，用于檢測(cè)太陽EUV輻射、軟x射線輻射測(cè)量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產(chǎn)濾光窗、日光濾光器和多波長封裝組件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管
